一、产品性能
化学机械抛光(CMP)是从微电子装置晶片的表面去除材料，并通过偶合物理工艺(例如磨蚀)与化学工艺(例如氧化或螯合)抛光(例如平坦化)表面的工艺，另外，在集成电路的制造中，CMP浆料亦应能够优先去除包含金属和其它材料的络合层的膜，从而可产生用于后续光刻或图案化、蚀刻和薄膜加工的高度平坦的表面。相对于含二氧化硅的浆料，对于绝缘体而言使用氧化铈粒子的CMP浆料通常达成较快研磨速度。此外，基于氧化铈的浆料由于其在最小氧化物侵蚀的情况下达成图案平坦化的能力而最常使用。不利地，由于氧化铈粒子相对于氧化硅和氮化硅表面带相反电荷的ζ电位，故基于氧化铈的浆料难以去除。如果制造具有此些残余物残留于晶片上的装置，那么所述残余物将导致短路和电阻增加。当前，用于去除氧化铈粒子的最有效湿清洁调配物为稀氢氟酸。然而，氢氟酸不利地蚀刻氧化硅和其它低k介电材料。本产品由铈-氧键断裂化合物及其它功能性助剂复配而成，可有效地从微电子装置的表面去除氧化铈粒子，同时不损害例如氮化硅层、低k介电(例如，氧化硅)层和含钨层的底层材料。
二、技术指标
外观：淡黄色液体
pH：<4
三、产品用途
本品主要用于从上面有氧化铈粒子和CMP污染物的微电子装置，尤其具有PETEOS、氮化硅和多晶硅衬底的微电子装置清洁所述粒子和CMP污染物。。
四、包装
25公斤塑料桶
生产制造商：郑州洁灵科技有限公司
地址：河南省郑州市高新技术开发区翠竹街863软件园9号楼821室
电话：1321320860
传真：0371-67993708